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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 |
| JESD-609代码： | e4 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSS2540M-7B | DIODES |
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40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
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| DSS25D-0045-T258 | SEME-LAB |
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DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN A HERMETIC TO258 PACKAGE |
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| DSS25D25 | MDD |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| DSS26 | SUNMATE |
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2A Patch Schottky diode 60V S0D-123 series |
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| DSS26 | MDD |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| DSS26 | CJ |
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SOD-123FL |
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| DSS26 | CZSTARSEA |
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SOD-123FL |
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| DSS26 | HC |
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SOD-123FL |
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| DSS2-60AT2 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI |
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| DSS2-60AT2 | IXYS |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI |
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