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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DFN |
| 包装说明： | CHIP CARRIER, R-PBCC-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 15 weeks | 风险等级： | 1.73 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1511503 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | Transistor BJT NPN | Samacsys Package Category： | Other |
| Samacsys Footprint Name： | X1-DFN1006-3_2 | Samacsys Released Date： | 2019-03-11 16:30:28 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 40 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PBCC-N3 | JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DSS25D-0045-T258 | SEME-LAB |
获取价格 |
DUAL SCHOTTKY BARRIER DIODE IN A HERMETIC TO258 PACKAGE |
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| DSS25D25 | MDD |
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SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| DSS26 | SUNMATE |
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2A Patch Schottky diode 60V S0D-123 series |
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| DSS26 | MDD |
获取价格 |
SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| DSS26 | CJ |
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SOD-123FL |
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| DSS26 | CZSTARSEA |
获取价格 |
SOD-123FL |
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| DSS26 | HC |
获取价格 |
SOD-123FL |
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| DSS2-60AT2 | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI |
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| DSS2-60AT2 | IXYS |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI |
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| DSS2-60AT2AP | LITTELFUSE |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 60V V(RRM), Silicon, TO-92, TO-92, 3 PI |
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