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DSC450100A

更新时间： 2024-11-19 14:49:11
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 510K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, NS-B2-B, 3 PIN

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DSC450100A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：200
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

DSC450100A 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSC4501  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
DSC2501 in NS through hole type package  
Package  
ꢀCode  
Features  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction  
Eco-friendly Halogen-free package  
NS-B2-B  
ꢀPin Name  
1. Emitter  
2. Collector  
Base  
Packaging  
Radial type : 5000 pcs / carton  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
ng Symbol: E3  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Ring  
Unit  
V
25  
V
2  
V
0.5  
A
Peak collector current  
IC
1
300  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
mW  
°C  
°C  
Tj  
15
Storage temperature  
T
stg  
–55 o +150  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±
Parar  
Sy
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Collector-ase voltamitter open)  
lector-emitter voltage (Base open)  
Emiter-base ltage (Collector open)  
Collectorbase cut(Emitter open)  
VBO IC = 10 mA, IE = 0  
VCEO IC = 1 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 mA, IC = 0  
25  
20  
12  
V
V
V
ICBO  
hFE  
VCB = 25 V, IE = 0  
100  
800  
0.40  
1.2  
nA  
V
1, 2  
Forward current
VCE = 2 V, IC = 0.5A  
200  
1
Collector-emitter sattage *  
VCE(sat) IC = 0.5A, IB = 20 mA  
VBE(sat) IC = 0.5A, IB = 50 mA  
0.18  
1
Base-emitter saturation vage *  
V
Transition frequency  
fT  
VCE = 10 V, IC = 50 mA  
150  
6
MHz  
Collector output capacitance  
(Common base, input open circuited)  
Cob  
Ron  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
pF  
ON resistance  
1.0  
W
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
T
T
0
No-rank  
200 to 800  
E3  
hFE  
200 to 350  
E3R  
300 to 500  
E3S  
400 to 800  
E3T  
Marking Symbol  
Product of no-rank is not classified and have no marking symbol for rank.  
3: Ron measurement circuit  
*
1 kΩ  
f = 1 kHz  
V = 0.3 V  
VB VV VA  
VB ×  
=
1000  
Ron  
(Ω)  
V
A − VB  
Publication date: December 2011  
Ver. AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSC4501R0A PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN
DSC4501S PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B
DSC4501S0A PANASONIC

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 		DSC5001 Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Complementary to DSA50
DSC5001-151B ETC

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