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DSC4501T

更新时间： 2024-11-19 14:24:27

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	499K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, NS-B1-B, 3 PIN

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DSC4501T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.8
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	400
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

DSC4501T 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DSC4501

Silicon NPN epitaxial planar type

For low frequency ampliﬁcation

DSC2501 in NS through hole type package

 Package

ꢀCode

 Features

 Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

 Contributes to miniaturization of sets, mount area reduction

 Eco-friendly Halogen-free package

NS-B2-B

ꢀPin Name

1. Emitter

2. Collector

3. Base

 Packaging

Radial type : 5000 pcs / carton

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

 Marking Symbol: E3

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

0.5

Peak collector current

I_CP

300

Collector power dissipation

Junction temperature

P_C

°C

T_j

150

Storage temperature

stg

–55 to +150

 Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

V_CBOI_C= 10 mA, I_E= 0

V_CEOI_C= 1 mA, I_B= 0

V_EBOI_E= 10 mA, I_C= 0

I_CBO

h_FE

V_CB= 25 V, I_E= 0

100

800

0.40

1.2



1, 2

Forward current transfer ratio ^*

V_CE= 2 V, I_C= 0.5A

200

Collector-emitter saturation voltage ^*

V_CE(sat)I_C= 0.5A, I_B= 20 mA

V_BE(sat)I_C= 0.5A, I_B= 50 mA

0.18

Base-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

f_T

V_CE= 10 V, I_C= 50 mA

150

MHz

Collector output capacitance

(Common base, input open circuited)

C_ob

R_on

V_CB= 10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

ON resistance

1.0

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Pulse measurement

2: Rank classiﬁcation

Code

Rank

No-rank

200 to 800

h_FE

200 to 350

E3R

300 to 500

E3S

400 to 800

E3T

Marking Symbol

Product of no-rank is not classiﬁed and have no marking symbol for rank.

3: R_onmeasurement circuit

1 kΩ

f = 1 kHz

V = 0.3 V

V_BV_VV_A

V_{B ×}

1000

R_on

(Ω)

_A− V_B

Publication date: December 2011

Ver. AED

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DSC500100L	PANASONIC	获取价格	DSC5001 Silicon NPN epitaxial planar type For general amplification Complementary to DSA50
DSC5001-151B	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-151C	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-151S	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-152B	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-152C	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-152S	ETC	获取价格	Converter IC
DSC5001-159B	ETC	获取价格	Converter IC
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