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DS2224

更新时间： 2024-10-28 22:40:35
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
10页 107K
描述
EconoRAM

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DS2224 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.8
Is Samacsys：N最长访问时间：1000 ns
其他特性：SELF-TIMED 1-WIRE INTERFACEI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
内存密度：224 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：1功能数量：1
端口数量：1端子数量：3
字数：224 words字数代码：224
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：224X1
输出特性：OPEN-DRAIN可输出：NO
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装等效代码：SIP3,.1,50
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
并行/串行：PARALLEL电源：2/5.5 V
认证状态：Not Qualified子类别：SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.2 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
Base Number Matches：1

DS2224 数据手册

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DS2223/DS2224  
DS2223/DS2224  
EconoRAM  
FEATURES  
PACKAGE OUTLINE  
• Low–cost, general–purpose, 256–bit memory  
TO–92  
–
–
DS2223 has 256–bit SRAM  
DS2224 has 32–bit ROM, 224–bit SRAM  
• Reduces control, address and data interface to a  
single pin  
• Each DS2224 32–bit ROM is factory–lasered with a  
unique serial number  
• DS2224portionofROMwithcustomcodeandunique  
serial number available  
SOT–223  
1
• Minimal operating power: 45 nanocoulombs per  
transaction @1.5V typical  
1
2
2
3
• Less than 15 nA standby current at 25°C  
1
3
• Nonvolatile data retention easily achieved via low–  
cost alkaline batteries or capacitors  
2
4
3
BOTTOM VIEW  
TOP VIEW  
See Mech. Drawings  
Section  
See Mech. Drawings  
Section  
• Directlyconnectstoaportpinofpopularmicrocontrol-  
lers  
• Operation from 1.2 to 5.5 volts  
PIN CONNECTIONS  
Pin 1  
Pin 2  
Pin 3  
Pin 4  
GND  
DQ  
–
–
–
–
Ground  
Data In/Out  
Supply  
• Popular TO–92 or SOT–223 surface mount package  
V
CC  
• Operates over industrial temperature range –40°C to  
+85°C  
GND  
Ground  
ORDERING INFORMATION  
DESCRIPTION  
The DS2223 and DS2224 EconoRAMs are fully static,  
micro–powered, read/write memories in low–cost  
TO–92 or SOT–223 packages. The DS2223 is orga-  
nized as a serial 256 x 1 bit static read/write memory.  
The DS2224’s first 32 bits are lasered with a unique ID  
code at the time of manufacture; the remaining 224 bits  
are static read/write memory. Signaling necessary for  
reading or writing is reduced to just one interface lead.  
DS2223  
256–bit SRAM – TO–92 Package  
DS2223Z  
DS2223T  
DS2223Y  
DS2224  
256–bit SRAM – SOT–223 Package  
1000 piece tape–and–reel of DS2223  
2500 piece tape–and–reel of DS2223Z  
32–bit serial number (ROM), 224–bit  
SRAM – TO–92 Package  
32–bit serial number (ROM), 224–bit  
SRAM – SOT–223 Package  
1000 piece tape–and–reel of DS2224  
2500 piece tape–and–reel of DS2224Z  
DS2224Z  
DS2224T  
DS2224Y  
Both the DS2223 and DS2224 are not recommended  
for new designs. However, the parts will remain avail-  
able until the year 2003, at least.  
080598 1/10  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DS2224T DALLAS

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 		暂无描述
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