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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 85 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1245AB-85-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-100 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-100-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-120 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-120-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-70 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-70-IND | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-85 | ETC |
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NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABL-85-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1245ABP | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, |
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