5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.63 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-U34 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 34 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装等效代码： | MODULE,34LEAD,1.0 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.085 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J INVERTED | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1245BL-100-IND | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245BL-70 | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245BL-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
1024K Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245EE-100 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1245EE-120 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1245P-100-IND | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245P-150-IND | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245W | DALLAS |
获取价格 |
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245W | ARTSCHIP |
获取价格 |
3.3V 1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245W | ADI |
获取价格 |
3.3V、1024k非易失SRAM |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
