5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | DIP, DIP32,.6 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8473.30.11.40 | 风险等级： | 1.79 |
| 最长访问时间： | 120 ns | JESD-30 代码： | R-XDMA-T32 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP32,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0006 A | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.085 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1245AB-120IND | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 120ns, CMOS, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
|
| DS1245AB-120-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
|
| DS1245AB-120IND+ | ROCHESTER |
获取价格 |
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 120ns, DMA32, 0.740 INCH, LEAD FREE, EXTENDED MODULE, DIP |
|
| DS1245AB-70 | DALLAS |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245AB-70 | MAXIM |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245AB-70+ | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, 0.740 INCH, ROHS COMPLIANT, DIP-32 |
|
| DS1245AB-70IND | ROCHESTER |
获取价格 |
128KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 70ns, DMA32, 0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-32 |
|
| DS1245AB-70IND | MAXIM |
获取价格 |
1024k Nonvolatile SRAM |
|
| DS1245AB-70-IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| DS1245AB-70IND+ | MAXIM |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
