是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 零件包装代码: | QMA |
包装说明: | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.59 |
最长访问时间: | 90 ns | 其他特性: | USER CONFIGURABLE AS 512K X 8 |
备用内存宽度: | 16 | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | S-XQMA-J68 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | FLASH MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 8 | 端子数量: | 68 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX32 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
部门规模: | 16K | 最大待机电流: | 0.0012 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms | 写保护: | SOFTWARE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DP5Z128X32XP-90CI | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-12B | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-12C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-12I | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-12M | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-15B | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-15C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-15I | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-15M | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-20B | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module |