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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | PGA | 包装说明： | APGA, PGA50,5X10 |
| 针数： | 50 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.49 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | HARDWARE DATA PROTECTION | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-XPGA-P50 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 25.146 mm | 内存密度： | 33554432 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH MODULE | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 32 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2MX16 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | APGA | 封装等效代码： | PGA50,5X10 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, PIGGYBACK |
| 页面大小： | 64 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 编程电压： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| 座面最大高度： | 7.4676 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.0004 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | PERPENDICULAR | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 13.716 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DP5Z2MW16PA3-12C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-12M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-15B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-15I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-15M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-20B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-20C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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| DP5Z2MW16PA3-20I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |
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