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DP5Z2MW16PH3-12I

更新时间: 2024-01-14 17:12:07
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21页 1074K
描述
x16 Flash EEPROM Module

DP5Z2MW16PH3-12I 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:QFP包装说明:AQFP, QFP48,.7X1.1,50
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.49最长访问时间:120 ns
其他特性:HARDWARE DATA PROTECTION数据轮询:NO
JESD-30 代码:R-XQFP-G48JESD-609代码:e0
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FLASH MODULE
内存宽度:16功能数量:1
部门数/规模:32端子数量:48
字数:2097152 words字数代码:2000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2MX16
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:AQFP
封装等效代码:QFP48,.7X1.1,50封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, PIGGYBACK页面大小:64 words
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883 Class B (Modified)座面最大高度:4.572 mm
部门规模:64K最大待机电流:0.0004 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.1 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
切换位:NO类型:NOR TYPE

DP5Z2MW16PH3-12I 数据手册

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