是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA66,11X11 | 针数: | 66 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.53 |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | 100K ERASE/WRITE CYCLES |
备用内存宽度: | 16 | 数据轮询: | NO |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P66 | 内存密度: | 33554432 bit |
内存集成电路类型: | FLASH MODULE | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 32 |
端子数量: | 66 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 1MX32 | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | PGA | 封装等效代码: | PGA66,11X11 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY |
页面大小: | 64 words | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B (Modified) | 座面最大高度: | 4.1402 mm |
部门规模: | 32K | 最大待机电流: | 0.0004 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | PIN/PEG | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 类型: | NOR TYPE |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DP5Z1MW32PV3-20B | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-20C | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-20I | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z1MW32PV3-20M | ETC |
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x32 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-12B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-12C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-12I | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-12M | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-15B | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module | |
DP5Z2MW16PA3-15C | ETC |
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x16 Flash EEPROM Module |