是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 18 weeks |
风险等级: | 1.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 294 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 100 A |
最大漏极电流 (ID): | 100 A | 最大漏源导通电阻: | 0.003 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 187 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 167 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 400 A |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT6004LPS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6004LPS-13 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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DMT6004SCT | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6004SPS | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LCT | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LFG | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LPS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LPS_17 | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LPS-13 | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMT6005LSS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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