是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 22 weeks |
风险等级: | 1.69 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 160 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 22 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0028 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMT6004SCT | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6004SPS | DIODES |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LCT | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LFG | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LPS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LPS_17 | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LPS-13 | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6005LSS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6006LK3 | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMT6006LSS | DIODES |
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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |