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DMN3410-7 PDF预览

DMN3410-7

更新时间： 2024-11-12 14:49:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 118K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SC-59, 3 PIN

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DMN3410-7 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-59
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4 A最大漏极电流 (ID)：4 A
最大漏源导通电阻：0.058 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN3410-7 数据手册

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DMN3410  
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT  
TRANSISTOR  
SPICE MODELS: DMN3410  
Features  
·
·
·
·
·
Low Gate Threshold Voltage  
A
SC-59  
Ultra Low On-Resistance  
Low Input/Output Capacitance  
Low Input/Output Leakage  
Fast Switching Speed  
D
Dim  
A
Min  
0.35  
1.50  
2.70  
Max  
0.50  
1.70  
3.00  
C
B
B
G TOP VIEW  
S
C
G
H
D
0.95 nominal  
1.90 nominal  
Mechanical Data  
G
H
·
·
·
·
Case: SC-59, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
K
J
2.90  
0.013  
1.00  
0.35  
0.10  
0°  
3.10  
0.10  
1.30  
0.55  
0.20  
8°  
M
J
K
L
D
F
L
Drain  
·
·
·
·
Terminal Connections: See Diagram  
Marking: A2, See Page 5  
Weight: 0.008 grams (approx.)  
Ordering Information, See page 5  
M
a
All Dimensions in mm  
Gate  
Source  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Symbol  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Value  
Units  
VDSS  
VGSS  
30  
V
V
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
±12  
Drain Current (Note 1) Continuous  
TA = 25°C  
TA = 70°C  
4
3.4  
ID  
A
IDM  
Pd  
Pulsed Drain Current (Note 3)  
Total Power Dissipation (Note 1)  
15  
1.3  
A
W
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1) t £10s  
90  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Operating and Storage Temperature Range  
Note:  
1. Per mounting conditions described in Note 2.  
2. The value of RqJA is measured with the device mounted on 1 in FR-4 PC board with 2 oz. Copper, in a still air environment at  
TA = 25°C. The current rating is based on the t £10s Thermal Resistance rating.  
2
3. Repetitive Rating, pulse width limited by junction temperature.  
DS30375 Rev. 5 - 2  
1 of 5  
DMN3410  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12345

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