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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> DMN3730UFB4-7
DMN3730UFB4-7 PDF预览

DMN3730UFB4-7

更新时间： 2024-11-12 09:54:15
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美台 - DIODES 晶体小信号场效应晶体管开关
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6页 137K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN3730UFB4-7 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DFN
包装说明：GREEN, PLASTIC, DFN1006H4-3, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：1.59
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.91 A
最大漏极电流 (ID)：0.75 A最大漏源导通电阻：0.46 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PBCC-N3
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.69 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DMN3730UFB4-7 数据手册

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DMN3730UFB4  
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Product Summary  
Features and Benefits  
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0.4mm ultra low profile package for thin application  
0.6mm2 package footprint, 10 times smaller than SOT23  
Low VGS(th), can be driven directly from a battery  
Low RDS(on)  
“Lead Free”, RoHS Compliant (Note 1)  
Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 2)  
ESD Protected Gate 2kV  
ID  
V(BR)DSS  
RDS(on)  
TA = 25°C  
0.9A  
0.7A  
460mΩ @ VGS= 4.5V  
560mΩ @ VGS= 2.5V  
30V  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Mechanical Data  
Description and Applications  
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance  
(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it  
ideal for high efficiency power management applications.  
•
•
Case: DFN1006H4-3  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
•
•
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminals: Finish – NiPdAu over Copper leadframe. Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
•
•
•
Load switch  
Portable applications  
Power Management Functions  
•
Weight: 0.001 grams (approximate)  
Drain  
DFN1006H4-3  
Bottom View  
Body  
Diode  
Gate  
S
D
Gate  
Protection  
Diode  
G
Source  
ESD PROTECTED TO 2kV  
Top View  
Equivalent Circuit  
Ordering Information (Note 3)  
Part Number  
DMN3730UFB4-7  
DMN3730UFB4-7B  
Marking  
NF  
NF  
Reel size (inches)  
Tape width (mm)  
Quantity per reel  
3000  
7
7
8
8
10,000  
Notes:  
1. No purposefully added lead  
2. Diodes Inc's "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com.  
3. For packaging details, go to our website at http://www.diodes.com.  
Marking Information  
NF = Product Type Marking Code  
Dot Denotes Drain Side  
NF  
1 of 6  
www.diodes.com  
December 2010  
© Diodes Incorporated  
DMN3730UFB4  
Document number: DS35017 Rev. 3 - 2  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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