是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 22 weeks |
风险等级: | 1.6 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 0.012 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-PDSO-N6 | JESD-609代码: | e4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN3016LFDFQ | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFT | |
DMN3016LK3 | DIODES |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3016LK3-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
DMN3016LPS | DIODES |
获取价格 |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3016LPS-13 | DIODES |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 30V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
DMN3016LSS | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance | |
DMN3016LSS_15 | DIODES |
获取价格 |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3016LSS-13 | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance | |
DMN3018SFG | DIODES |
获取价格 |
ESD Protected Gate | |
DMN3018SFG_15 | DIODES |
获取价格 |
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |