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DMN3020LK3-13

更新时间: 2024-02-10 15:59:39
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美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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8页 271K
描述
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN3020LK3-13 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-252AA
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):16.7 A
最大漏极电流 (ID):11.3 A最大漏源导通电阻:0.02 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-252AA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):8.9 W最大脉冲漏极电流 (IDM):51 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

DMN3020LK3-13 数据手册

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