是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 17 weeks | 风险等级: | 5.63 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 7.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.018 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-N5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DMN3025LFV | DIODES | 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3025LFV-13 | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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DMN3025LSS | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3025LSS-13 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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DMN3026LVT | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3026LVT-7 | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor |
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