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DMN2991UFB4Q

更新时间： 2023-12-06 20:11:32

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描述
20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMN2991UFB4Q 数据手册

DMN2991UFB4Q

D=0.9

D=0.7

D=0.5

D=0.3

0.1

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

D=0.005

D=Single Pulse

0.01

R_θJA(t) = r(t) * R_θJA

R_θJA= 321.2ºC/W

Duty Cycle, D = t1/t2

0.001

0.00001 0.0001 0.001

0.01

0.1

100

1000

10000 100000 1000000

t1, PULSE DURATION TIME (sec)

Figure 13. Transient Thermal Resistance

5 of 7

www.diodes.com

May 2022

DMN2991UFB4Q

Document number: DS44518 Rev. 2 - 2

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