是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 17 weeks |
风险等级: | 5.63 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 60 A | 最大漏源导通电阻: | 0.0055 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-PDSO-F5 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DMN3009LFVQ | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009LFVW | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009LFVW-13 | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009LFVW-7 | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009LFVWQ | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009SFG | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009SFG-13 | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009SFG-7 | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009SFGQ | DIODES |
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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | |
DMN3009SFGQ-7 | DIODES |
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Power Field-Effect Transistor, |