是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SO-8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 23 weeks |
风险等级: | 2.3 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY |
雪崩能效等级(Eas): | 25 mJ | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.4 A |
最大漏极电流 (ID): | 8.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.015 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.6 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
参考标准: | AEC-Q101 | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DMN3016LDN | DIODES | 30V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3016LDN-13 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, |
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DMN3016LDN-7 | DIODES | Power Field-Effect Transistor, |
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DMN3016LDV | DIODES | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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DMN3016LDV-13 | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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DMN3016LDV-7 | DIODES | Small Signal Field-Effect Transistor, |
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