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DMN10H220LFVW

更新时间: 2023-12-06 20:11:23
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美台 - DIODES /
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7页 629K
描述
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

DMN10H220LFVW 数据手册

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DMN10H220LFVW  
1
D=0.9  
D=0.7  
D=0.5  
D=0.3  
D=0.1  
D=0.05  
D=0.02  
D=0.01  
0.1  
D=0.005  
D=Single Pulse  
0.01  
RθJC(t) = r(t) * RθJC  
RθJC = 3.02/W  
Duty Cycle, D = t1 / t2  
0.001  
0.00001 0.0001 0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
10000 100000 1000000  
t1, PULSE DURATION TIME (sec)  
Figure 13. Transient Thermal Resistance  
5 of 7  
www.diodes.com  
June 2020  
© Diodes Incorporated  
DMN10H220LFVW  
Document number: DS42452 Rev. 2 - 2  

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