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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.01 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.54 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DMG4822SSD | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMG4822SSD_15 | DIODES |
获取价格 |
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG4822SSD-13 | DIODES |
获取价格 |
Low On-Resistance |
|
| DMG4932LSD | DIODES |
获取价格 |
ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG4932LSD-13 | DIODES |
获取价格 |
ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
|
| DMG-4A-750 | MERRIMAC |
获取价格 |
DOUBLE BALANCED MIXERS |
|
| DMG-4B-1700 | MERRIMAC |
获取价格 |
DOUBLE BALANCED MIXERS |
|
| DMG4N60-TR | DYELEC |
获取价格 |
600V N-Channel Power MOSFET |
|
| DMG4N60-TU | DYELEC |
获取价格 |
600V N-Channel Power MOSFET |
|
| DMG4N65-TR | DYELEC |
获取价格 |
650V N-Channel Power MOSFET |
|
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