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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DMG4932LSD-13
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DMG4932LSD-13

更新时间： 2024-09-24 09:54:07
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 199K
描述
ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DMG4932LSD-13 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.02Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9.5 A
最大漏极电流 (ID)：9.5 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.19 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

DMG4932LSD-13 数据手册

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DMG4932LSD  
ASYMETRICAL DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET  
Features  
Mechanical Data  
•
•
•
•
•
•
•
High Density UMOS with Schottky Barrier Diode  
•
•
Case: SO-8  
Low Leakage Current at High Temp.  
High Conversion Efficiency  
Low On-Resistance  
Low Input Capacitance  
Fast Switching Speed  
Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.  
UL Flammability Classification Rating 94V-0  
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020  
Terminal Connections: See Diagram Below  
Marking Information: See Page 8  
•
•
•
•
•
Ordering Information: See Page 8  
Weight: 0.072 grams (approximate)  
Utilizes Diodes’ Monolithic DIOFET Technology to Increase  
Conversion Efficiency  
•
•
•
•
100% UIS and Rg Tested  
Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1)  
"Green" Device (Note 2)  
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
Q1  
D1  
Q2  
D2  
G2  
D2  
Diodes Schottky Integrated MOSFET  
D2  
G1  
S1  
S2/D1  
S2/D1  
S2/D1  
G1  
G2  
S1  
S2  
Top View  
Internal Schematic  
Top View  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
Maximum Ratings – Q1 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
30  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
±12  
V
VGSS  
TA = 25°C  
TA = 85°C  
Steady  
State  
9.5  
7.2  
Continuous Drain Current (Note 3)  
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
Avalanche Current (Notes 4 & 5)  
40  
13  
A
A
IDM  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy (Notes 4 & 5) L = 0.3mH  
25.4  
mJ  
EAR  
Maximum Ratings – Q2 @TA = 25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Value  
30  
Unit  
V
Gate-Source Voltage  
±25  
V
VGSS  
TA = 25°C  
TA = 85°C  
Steady  
State  
9.5  
7.5  
Continuous Drain Current (Note 3)  
A
ID  
Pulsed Drain Current (Note 4)  
Avalanche Current (Notes 4 & 5)  
40  
13  
A
A
IDM  
IAR  
Repetitive Avalanche Energy (Notes 4 & 5) L = 0.3mH  
25.4  
mJ  
EAR  
Thermal Characteristics  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 3)  
Symbol  
PD  
Value  
1.19  
Unit  
W
107  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient @TA = 25°C (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
-55 to +150  
TJ, TSTG  
Notes:  
1. No purposefully added lead.  
2. Diodes Inc.'s "Green" policy can be found on our website at http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php.  
3. Device mounted on FR-4 PCB with minimum recommended pad layout. The value in any given application depends on the user’s specific board design.  
4. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.  
5. IAR and EAR rating are based on low frequency and duty cycles to keep TJ = 25°C  
1 of 9  
www.diodes.com  
August 2010  
© Diodes Incorporated  
DMG4932LSD  
Document number: DS32119 Rev. 4 - 2  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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