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DMC204020R

更新时间： 2024-01-13 01:15:31
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松下 - PANASONIC /
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4页 398K
描述
Silicon NPN epitaxial planar type

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DMC204020R 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI6-G4-B, SC-74, 6 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：3.75最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：40JESD-30 代码：R-PDSO-G6
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN AND PNP
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：160 MHzBase Number Matches：1

DMC204020R 数据手册

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DMC20402  
Silicon NPN epitaxial planar type  
Unit: mm  
For general amplification  
Features  
High forward current transfer ratio hFE with excellent linearity  
Halogen-free / RoHS compliant  
(EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL: Level 1 compliant)  
ꢀMarking Symbol: B6  
ꢀBasic Part Number  
Dual DSC2002 (Individual)  
1: Emitter (Tr1)  
2: Base (Tr1)  
3: Collector (Tr2)  
Panasonic  
4: Emitter (Tr2)  
Packaging  
5: Base (Tr2)  
6: Collector (Tr1)  
Mini6-G4-B  
SC-74  
DMC204020R Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀAbsolute Maximum Ratings T = 25°C  
a
JEITA  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
Unit  
V
Code  
SOT-457  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
60  
(C1) (B2) (E2)  
50  
V
6
5
4
Tr1  
Tr2  
5
V
500  
mA  
A
Tr1  
Tr2  
Peak collector current  
ICP  
1
300  
Total power dissipation  
PT  
mW  
°C  
°C  
1
2
3
(E1) (B1) (C2)  
Overall Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
T
stg  
–55 to +150  
ꢀElectrical Characteristics T = 25°C±3°C  
a
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
60  
50  
5
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCBO IC = 10 µA, IE = 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
VEBO IE = 10 µA, IC = 0  
V
V
ICBO  
hFE1  
hFE2  
VCB = 20 V, IE = 0  
0.1  
µA  
VCE = 10 V, IC = 150 mA  
VCE = 10 V, IC = 500 mA  
120  
40  
340  
1
Forward current transfer ratio *  
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = 300 mA, IB = 30 mA  
0.1  
0.6  
V
fT  
VCE = 10 V, IC = 50 mA  
160  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = 10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
4.8  
15  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
Publication date: January 2013  
Ver. CED  
1
1234

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