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DM74S287AN

更新时间: 2024-11-29 22:54:35
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美国国家半导体 - NSC 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器OTP只读存储器
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
(256 x 4) 1024-BIT TTL PROM

DM74S287AN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP16,.3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.71
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最长访问时间:30 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T16
JESD-609代码:e0长度:21.755 mm
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:OTP ROM
内存宽度:4功能数量:1
端子数量:16字数:256 words
字数代码:256工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256X4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP16,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm子类别:OTP ROMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:BIPOLAR
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

DM74S287AN 数据手册

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