5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DFP |
| 包装说明： | DFP, FL16,.3 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | WITH DUAL OUTPUT ENABLE |
| 控制类型： | ENABLE LOW | 系列： | TTL/H/L |
| JESD-30 代码： | R-GDFP-F16 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 9.6645 mm | 负载电容（CL）： | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型： | BUS DRIVER | 最大I（ol）： | 0.032 A |
| 位数： | 6 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 16 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出特性： | 3-STATE | 输出极性： | TRUE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DFP |
| 封装等效代码： | FL16,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 85 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 22 ns | 传播延迟（tpd）： | 22 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 2.032 mm | 子类别： | Bus Driver/Transceivers |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | FLAT |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 6.604 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM54365W/883B | ROCHESTER |
获取价格 |
Bus Driver, |
|
| DM54365W/883B | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,STD-TTL,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54365W/883C | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,SINGLE,6-BIT,STD-TTL,FP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54367 | NSC |
获取价格 |
Hex TRI-STATE Buffers |
|
| DM54367J | NSC |
获取价格 |
Hex TRI-STATE Buffers |
|
| DM54367J/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Bus Driver, TTL/H/L Series, 2-Func, 4-Bit, True Output, TTL, CDIP16, CERAMIC, DIP-16 |
|
| DM54367J/883B | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,DUAL,2-BIT/4-BIT,STD-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54367J/883C | TI |
获取价格 |
IC,BUFFER/DRIVER,DUAL,2-BIT/4-BIT,STD-TTL,DIP,16PIN,CERAMIC |
|
| DM54367W | NSC |
获取价格 |
Hex TRI-STATE Buffers |
|
| DM54367W/883 | ROCHESTER |
获取价格 |
Bus Driver, TTL/H/L Series, 2-Func, 4-Bit, True Output, TTL, CDFP16, CERAMIC, FP-16 |
|
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
