是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Contact Manufacturer | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.82 | 系列: | TTL/H/L |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T14 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 19.43 mm | 逻辑集成电路类型: | NAND GATE |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 3 |
输入次数: | 3 | 端子数量: | 14 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 传播延迟(tpd): | 15 ns |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | TTL | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM5410J/883B | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate | |
DM5410J/883C | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate | |
DM5410W | NSC |
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Triple 3-Input NAND Gates | |
DM5410W/883 | ROCHESTER |
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NAND Gate, TTL/H/L Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDFP14, CERAMIC, FP-14 | |
DM5410W/883B | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate | |
DM5410W/883C | ETC |
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Triple 3-input NAND Gate | |
DM5411J | ROCHESTER |
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AND Gate, 54 Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, DIP-14 | |
DM5411J/883 | ROCHESTER |
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AND Gate, 54 Series, 3-Func, 3-Input, TTL, CDIP14, DIP-14 | |
DM54121 | ETC |
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DM54121J | NSC |
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One-Shot with Clear and Complementary Outputs |