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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP, TSOP44,.36,32 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE/STATIC COLUMN |
| 最长访问时间： | 30 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH; 512 X 4 SRAM |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP |
| 封装等效代码： | TSOP44,.36,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DM2212T1-12I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44 |
|
| DM2212T1-12L | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 30ns, MOS, PDSO44, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-44 |
|
| DM2212T1-15 | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO44 |
|
| DM2212T1-15I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212T1-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212T-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212T-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
| DM2212T-12L | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44, |
|
| DM2212T-12L | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44, |
|
| DM2212T-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) |
|
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