是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SOJ, SOJ28,.34 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | CACHE DRAM | 内存宽度: | 4 |
端子数量: | 28 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ28,.34 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
DM2212J1-15I | RAMTRON | Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28 |
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DM2212J1-15L | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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DM2212J-12 | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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DM2212J-12I | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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DM2212J-12L | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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DM2212J-15 | ETC | Enhanced DRAM (EDRAM) |
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