是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SOJ, SOJ28,.34 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | CACHE DRAM |
内存宽度: | 4 | 端子数量: | 28 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.001 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.18 mA |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DM2202J-15L | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO28, | |
DM2202J-20 | ETC |
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Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202T1-12 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202T1-12I | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202T1-12L | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44 | |
DM2202T1-15 | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202T1-15I | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 15ns, CMOS, PDSO44 | |
DM2202T1-15L | ETC |
获取价格 |
Enhanced DRAM (EDRAM) | |
DM2202T-12 | RAMTRON |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44 | |
DM2202T-12I | CYPRESS |
获取价格 |
Cache DRAM, 1MX4, 12ns, CMOS, PDSO44, |