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DIM400GDM33

更新时间: 2024-11-23 19:07:31
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DYNEX 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 238K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel

DIM400GDM33 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Contact Manufacturer包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X10
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.64
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):400 A
集电极-发射极最大电压:3300 V配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-XUFM-X10元件数量:2
端子数量:10封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

DIM400GDM33 数据手册

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