DG212BDJ-E3

更新时间： 2024-02-22 05:40:28

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威世 - VISHAY		复用器开关复用器或开关信号电路光电二极管输出元件
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描述
Improved Quad CMOS Analog Switches

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DG212BDJ-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP16,.3	针数：	16
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	1.9	Is Samacsys：	N
模拟集成电路 - 其他类型：	SPST	JESD-30 代码：	R-PDIP-T16
JESD-609代码：	e3	长度：	20.13 mm
湿度敏感等级：	1	负电源电压最大值（Vsup）：	-22 V
负电源电压最小值（Vsup）：	-4.5 V	标称负供电电压 (Vsup)：	-15 V
正常位置：	NO	信道数量：	1
功能数量：	4	端子数量：	16
标称断态隔离度：	90 dB	通态电阻匹配规范：	2 Ω
最大通态电阻 (Ron)：	85 Ω	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	输出：	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP16,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5,12/+-15 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	Multiplexer or Switches
最大供电电压 (Vsup)：	22 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	15 V	表面贴装：	NO
最长断开时间：	200 ns	最长接通时间：	300 ns
切换：	BREAK-BEFORE-MAKE	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

DG212BDJ-E3 数据手册

DG211B, DG212B

Vishay Siliconix

ORDERING INFORMATION

Temp. Range

Package

Standard Part Number

Lead (Pb)-free Part Number

DG211BDJ

DG212BDJ

DG211BDJ-E3

DG212BDJ-E3

16-Pin Plastic DIP

DG211BDY

DG211BDY-E3

DG211BDY-T1

DG211BDY-T1-E3

16-Pin Narrow SOIC

DG212BDY

DG212BDY-E3

- 40 °C to 85 °C

DG212BDY-T1

DG212BDY-T1-E3

DG211BDQ

DG211BDQ-E3

DG211BDQ-T1

DG211BDQ-T1-E3

16-Pin TSSOP

DG212BDQ

DG212BDQ-E3

DG212BDQ-T1

DG212BDQ-T1-E3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Limit

Unit

Voltages Referenced, V+ to V-

GND

(V-) - 2 to (V+) + 2

or 30 mA, whichever occurs first

Digital Inputs^a, V_S, V_D

Current (Any terminal)

100

°C

Peak Current, S or D (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle max.)

Storage Temperature

- 65 to 125

470

16-Pin Plastic DIP^c

16-Pin Narrow SOIC and TSSOP^d

Power Dissipation (Package)^b

640

Notes:

a. Signals on S_X, D_X, or IN_Xexceeding V+ or V- will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.

b. All leads welded or soldered to PC board.

c. Derate 6.5 mW/°C above 75 °C.

d. Derate 7.6 mW/°C above 75 °C.

SCHEMATIC DIAGRAM (Typical Channel)

V+

Level

Shift/

Drive

V-

V+

GND

V-

Figure 1.

www.vishay.com

Document Number: 70040

S11-0179-Rev. J, 07-Feb-11

123 4 5 6 7...13

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