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DFE252010R-H-2R2M

更新时间： 2024-11-08 01:04:03

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Metal Alloy Inductors

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DFE252010R-H-2R2M 数据手册

Metal Alloy Inductors

メタルアロイ^®インダクタ

DFE252010R

Inductance Range: 1.0~4.7H

Recommended patterns

推奨パターン図

(Unit: mm)

FEATURES 特長

 Miniature size: 2520 footprint (2.5mm×2.0mm) and low

profile(1.0mm Max. height)

 The use of magnetic iron powder ensure capability for

large current.

 The use of Flat wire for Low DC resistance.

 Magnetically shielded, low audible core noise.

 Reflow solderable.

 小型薄型構造 (2.5ｘ2.0ｍｍ角、高さ1.0mm Max.)

 磁性材に鉄系磁性粉を用いた大電流対応

 平角線採用による低直流抵抗

 閉磁路構造、低コア鳴きノイズ

 リフロはんだ対応

 動作温度範囲：-40～+85°C

 Operating temperature : -40～+85°C

STANDARD PART NUMBERS 標準品一覧

TYPE DFE252010R (Quantity/reel; 3,000 PCS)

品番

インダクタンス⁽¹⁾

許容差

測定周波数

直流抵抗⁽²⁾

直流重畳許容電流⁽³⁾温度上昇許容電流⁽⁴⁾

Inductance

Temperature

Decrease Current⁽³⁾

Rise Current⁽⁴⁾

Test

Frequency

(MHz)

Inductance⁽¹⁾

Part

Number

Tolerance

(%)

Resistance⁽²⁾

(m) Max. (Typ.)

(A) Max. (Typ.)

(H)

T=40C

(A) Max. (Typ.)

L

=30%

DFE252010R-H-1R0M=P2

DFE252010R-H-1R5M=P2

DFE252010R-H-2R2M=P2

DFE252010R-H-4R7M=P2

1.0

1.5

2.2

4.7

20

68 (52)

90 (75)

126 (105)

276 (230)

3.0 (3.7)

2.3 (2.9)

2.1 (2.6)

1.4 (1.7)

2.7 (3.1)

2.1 (2.5)

1.7 (2.0)

1.1 (1.3)

(1)Inductance is measured with a LCR meter 4284A (Agilent

Technologies) or equivalent. Test frequency at 1MHz

(2)DC resistance is measured with 34420A (Agilent Technologies) or

3541(HIOKI). (Reference ambient temperature 20°C)

(3)Inductance Decrease Current based upon 30% inductance

reduction from the initial value

(1)インダクタンスはLCRメータ4284A (Agilent Technologies) また

は同等品により測定する。測定周波数は1MHz。

(2)直流抵抗は測定器34420A（Agilent Technologies）または3541

（HIOKI）と同等品により測定する。（周囲温度20°C）

(3)直流重畳許容電流：直流重畳電流を流した時インダクタンスの

値が初期値より30%減少する直流電流値

(4)Temperature Rise Current based upon 40°C temperature rise.

(Reference ambient temperature 20°C)

(4)温度上昇許容電流：コイルの温度が40°C上昇する値

（周囲温度20°Cを基準とする。）

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DFE252010R-H-2R2M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
DFE252010R-H-4R7M	TOKO	获取价格	Metal Alloy Inductors
DFE252010R-H-4R7M	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE252010R-H-4R7M#	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the de
DFE252010R-H-4R7M_18	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE252012C	MURATA	获取价格	The use of Flat wire for Low DC resistance
DFE252012F	TOKO	获取价格	Magnetically shielded, low audible core noise
DFE252012F	MURATA	获取价格	The use of Flat wire for Low DC resistance
DFE252012F_16	TOKO	获取价格	Metal Alloy Inductors
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