Datasheet > DFE252012F-1R0M

DFE252012F-1R0M

更新时间： 2024-11-08 00:43:11

品牌	Logo	应用领域
TOKO		/
页数	文件大小	规格书
1页	228K
描述
Magnetically shielded, low audible core noise

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DFE252012F-1R0M 数据手册

Metal Alloy Inductors

メタルアロイ^®インダクタ

DFE252012F

Inductance Range: 0.33~10H

Recommended patterns

推奨パターン図

(Unit: mm)

FEATURES 特長

 Miniature size: 2520 footprint (2.5mm×2.0mm) and low

profile(1.2mm Max. height)

 The use of magnetic iron powder ensure capability for

large current.

 The use of Flat wire for Low DC resistance.

 Magnetically shielded, low audible core noise.

 Reflow solderable.

 小型薄型構造 (2.5ｘ2.0ｍｍ角、高さ1.2mm Max.)

 磁性材に鉄系磁性粉を用いた大電流対応

 平角線採用による低直流抵抗

 閉磁路構造、低コア鳴きノイズ

 リフロはんだ対応

 動作温度範囲：-40～+125°C

 Operating temperature : -40～+125°C

STANDARD PART NUMBERS 標準品一覧

TYPE DFE252012F (Quantity/reel; 3,000 PCS)

品番

インダクタンス⁽¹⁾許容差

測定周波数

直流抵抗⁽²⁾

直流重畳許容電流⁽³⁾温度上昇許容電流⁽⁴⁾

Inductance

Temperature

Decrease Current⁽³⁾

Rise Current⁽⁴⁾

(A) Max. (Typ.)

Test

Frequency

(MHz)

Inductance⁽¹⁾

Tolerance

Part

Number

Resistance⁽²⁾

(m) Max. (Typ.)

(%)

(H)

T=40C

L

=30%

(A) Max. (Typ.)

DFE252012F-R33M=P2

DFE252012F-R47M=P2

DFE252012F-R68M=P2

DFE252012F-R82M=P2

DFE252012F-1R0M=P2

DFE252012F-1R5M=P2

DFE252012F-2R2M=P2

DFE252012F-3R3M=P2

DFE252012F-4R7M=P2

DFE252012F-6R8M=P2

DFE252012F-8R2M=P2

DFE252012F-100M=P2

0.33

0.47

0.68

0.82

1.0

1.5

2.2

3.3

4.7

6.8

8.2

20

19 (14)

23 (17)

31 (25)

35 (29)

40 (33)

58 (48)

82 (68)

135 (110)

190 (160)

330 (270)

410 (340)

480 (400)

7.6 (8.5)

6.7 (7.4)

5.4 (6.0)

4.9 (5.4)

4.7 (5.3)

3.8 (4.3)

3.3 (3.6)

2.5 (2.8)

2.1 (2.4)

1.7 (1.9)

1.5 (1.7)

1.4 (1.6)

5.1 (6.0)

4.9 (5.8)

3.9 (4.6)

3.6 (4.2)

3.3 (3.9)

2.7 (3.2)

2.3 (2.7)

1.8 (2.1)

1.5 (1.8)

1.2 (1.4)

1.1 (1.3)

0.95 (1.1)

(1)Inductance is measured with a LCR meter 4284A (Agilent

Technologies) or equivalent. Test frequency at 1MHz

(2)DC resistance is measured with 34420A (Agilent Technologies) or

3541(HIOKI). (Reference ambient temperature 20°C)

(3)Inductance Decrease Current based upon 30% inductance

reduction from the initial value

(1)インダクタンスはLCRメータ4284A (Agilent Technologies) また

は同等品により測定する。測定周波数は1MHz。

(2)直流抵抗は測定器34420A（Agilent Technologies）または3541

（HIOKI）と同等品により測定する。（周囲温度20°C）

(3)直流重畳許容電流：直流重畳電流を流した時インダクタンスの値

が初期値より30%減少する直流電流値

(4)Temperature Rise Current based upon 40°C temperature rise.

(Reference ambient temperature 20°C)

(4)温度上昇許容電流：コイルの温度が40°C上昇する値

（周囲温度20°Cを基準とする。）

中文翻译

下载PDF

与DFE252012F-1R0M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DFE252012F-1R0M#	MURATA	获取价格
DFE252012F-1R0M_18	MURATA	获取价格	Rated current (Isat) is specified when the decrease of the initial inductance value at 30%
DFE252012F-1R5M	TOKO	获取价格	Magnetically shielded, low audible core noise
DFE252012F-1R5M	MURATA	获取价格	Inductor
DFE252012F-1R5M#	MURATA	获取价格
DFE252012F-1R5M=P2	MURATA	获取价格	General Purpose Inductor, 1.5uH, 20%, 1 Element, Iron-Core, SMD, 1008, CHIP, 1008, ROHS AN
DFE252012F-2R2M	TOKO	获取价格	Magnetically shielded, low audible core noise
DFE252012F-2R2M	MURATA	获取价格	Inductor
DFE252012F-2R2M#	MURATA	获取价格
DFE252012F-2R2M=P2	MURATA	获取价格	General Purpose Inductor, 2.2uH, 20%, 1 Element, Iron-Core, SMD, 1008, CHIP, 1008, ROHS AN

与DFE252012F-1R0M相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

16
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

13
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

34

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DFE252012F-1R0M

DFE252012F-1R0M 数据手册

与DFE252012F-1R0M相关器件

与DFE252012F-1R0M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DFE252012F-1R0M

DFE252012F-1R0M 数据手册

与DFE252012F-1R0M相关器件

与DFE252012F-1R0M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？