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DF8A6.8FK

更新时间： 2024-11-16 07:10:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 155K
描述
DIODE 6.8 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, US8, 8 PIN, Voltage Regulator Diode

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DF8A6.8FK 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G5
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.8击穿电压标称值：6.8 V
配置：COMMON ANODE, 7 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e0元件数量：7
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.2 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：6.8 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL最大电压容差：5.88%
工作测试电流：5 mABase Number Matches：1

DF8A6.8FK 数据手册

 浏览型号DF8A6.8FK的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DF8A6.8FK的Datasheet PDF文件第3页 
DF8A6.8FK  
TOSHIBA Diodes for Protecting Against ESD Epitaxial Planar Type  
DF8A6.8FK  
Diodes for Protecting Against ESD  
Unit in mm  
3.1±0.1  
2.3±0.1  
z Because seven devices are mounted on an ultra compact package, it is  
possible to allow reducing the number of the parts and the mounting cost.  
1
8
z Zener voltage correspond to E24 series.  
4
5
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Power dissipation  
Symbol  
P
Rating  
Unit  
200  
150  
mW  
°C  
0.7±0.1  
0~0.1  
Junction temperature  
T
j
1. CATHODE1  
2. CATHODE2  
3. CATHODE3  
4. CATHODE4  
5. CATHODE5  
6. CATHODE6  
7. CATHODE7  
8. ANODE  
Storage temperature range  
T
−55~150  
°C  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
US8  
―
―
―
JEDEC  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate,  
etc).  
JEITA  
TOSHIBA  
Weight: 0.0088 g (typ.)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Zener voltage  
Symbol  
Test Condition  
= 5mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
―
I
I
6.4  
―
―
―
6.8  
―
7.2  
25  
V
Ω
Z
Z
Z
Dynamic impedance  
Reverse current  
Z
―
= 5mA  
Z
I
―
V
V
= 5V  
―
0.5  
⎯
μA  
pF  
R
R
R
Total capacitance  
CT  
= 0V, f=1MHz  
45  
―
Guaranteed Level of ESD Immunity  
Test Condition  
ESD Immunity Level  
IEC61000-4-2  
(Contact discharge)  
± 30kV  
Judgment contents : No element destruction  
Marking  
Equivalent Circuit (Top View)  
8
1
7
6
5
8A  
68  
2
3 4  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DF8A6.8FK(TE85L,F) TOSHIBA

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