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DF8L60US

更新时间: 2024-01-06 05:48:52
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新电元 - SHINDENGEN 二极管高压超快速恢复二极管高压超快速恢复二极管
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2页 387K
描述
Single Diode

DF8L60US 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.75
Is Samacsys:N应用:HIGH VOLTAGE SUPER FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSSO-G2最大非重复峰值正向电流:60 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified最大反向恢复时间:0.025 µs
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

DF8L60US 数据手册

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