Datasheet > DF100R07W1H5FPB54BPSA1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1

更新时间： 2024-02-12 06:14:36

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
11页	699K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.63
Base Number Matches：	1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 数据手册

浏览型号DF100R07W1H5FPB54BPSA1的Datasheet PDF文件第1页

浏览型号DF100R07W1H5FPB54BPSA1的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号DF100R07W1H5FPB54BPSA1的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号DF100R07W1H5FPB54BPSA1的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号DF100R07W1H5FPB54BPSA1的Datasheet PDF文件第6页

DF100R07W1H5FP_B54

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

650

ꢀ

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_H= 100°C, T_{vj max}= 175°C

T_H= 25°C, T_{vj max}= 175°C

I_{C nom}

I_C

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

100

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

V_GES

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 25 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,35 1,55

1,40

1,45

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 0,50 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 400V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

3,25 4,00 4,75

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,235

0,0

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 650 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

2,80

0,013

0,04

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

100 nA

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 400 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,009

0,01

0,012

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 400 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,0036

0,004

0,005

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 400 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,008

0,009

0,01

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 25 A, V_CE= 400 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,022

0,028

0,03

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 25 A, V_CE= 400 V, L_S= 25 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 4200 A/µs (T_vj= 150°C) T_vj= 125°C

R_Gon= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

0,11

0,23

0,25

E_on

E_off

T_vj= 150°C

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 25 A, V_CE= 400 V, L_S= 25 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 7500 V/µs (T_vj= 150°C)T_vj= 125°C

R_Goff= 5,1 Ω

T_vj= 25°C

0,15

0,17

0,21

T_vj= 150°C

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 400 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 0 µs, T_vj= 150°C

250

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial

R_thJH

T_{vj op}

1,60 K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

Vꢀ3.0

2017-04-06

123 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DF100R07W1H5FPB54BPSA2	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
DF100R12KF-A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 1.2KV V(BR)CES \| 100A I(C) \| M:HL093HW048
DF100S	THERMTROL	获取价格	DF SERIES 15 AMP THERMAL CUTOFFS
DF101	CITC	获取价格	1A Miniature Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers
DF101S	CITC	获取价格	1A Miniature Glass Passivated Single-Phase Surface Mount Bridge Rectifiers
DF10-31S-2DSA(62)	HRS	获取价格	Board Connector, 31 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Press Fit Terminal,
DF10-31S-2DSA62	HRS	获取价格	KINK SHOULD BE GIVEN ON 2 BOTH EDGE SIDE PINS ALTERNATELY
DF104S	THERMTROL	获取价格	DF SERIES 15 AMP THERMAL CUTOFFS
DF10DB107	SHUNYE	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
DF10G	GOOD-ARK	获取价格	SINGLE PHASE 1.0AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF100R07W1H5FPB54BPSA1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 技术参数

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 数据手册

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关器件

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

DF100R07W1H5FPB54BPSA1

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 技术参数

DF100R07W1H5FPB54BPSA1 数据手册

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关器件

与DF100R07W1H5FPB54BPSA1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？