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DF10-G PDF预览

DF10-G

更新时间： 2024-11-05 07:18:03
品牌 Logo 应用领域
上华 - COMCHIP 整流二极管桥式整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers

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DF10-G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDIP-T4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：1.69Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：1000 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDIP-T4最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：1000 V子类别：Bridge Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DF10-G 数据手册

 浏览型号DF10-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DF10-G的Datasheet PDF文件第3页 
SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers  
DF005-G Thru. DF10-G  
Reverse Voltage: 50 to 1000V  
Forward Current: 1.0A  
RoHS Device  
DF  
Features  
-Rating to 1000V PRV  
0.335(8.50)  
0.307(7.80)  
-Ideal for printed circuit board  
-Low forward voltage drop,high current capability  
0.031(0.8)  
0.023(0.6)  
0.256(6.5)  
0.244(6.2)  
-Reliable low cost construction utilizing molded plastic  
technique results in inexpensive product  
-The plastic material has UL flammability  
classification 94V-0  
0.350(8.90)  
0.311(7.90)  
0.323(8.20)  
0.315(8.00)  
Mechanical Data  
-Polarit: As marked on Body  
0.063(1.6)  
0.055(1.4)  
0.102(2.6)  
0.089(2.2)  
0.193(4.9)  
0.022(0.55)  
0.018(0.45)  
0.165(4.2)  
-Weight: 0.38 grams  
0.205(5.20)  
0.197(5.00)  
-Mounting position: Any  
Dimensions in inches and (millimeter)  
Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%  
Symbol DF005-G  
DF01-G  
DF02-G  
DF04-G  
DF06-G  
DF08-G  
DF10-G  
Parameter  
Unit  
V
RRM  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
400  
280  
400  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
RMS  
100  
1000  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward  
V
DC  
A
A
I(AV)  
1.0  
30  
Rectified Current @T =40°C  
A
Peak Forward Surage Current ,  
8.3ms Single Half Sine-Wave  
Super Imposed on Rated Load  
IFSM  
2
I2 t  
A s  
I2 t Rating for Fusing (t＜8.3ms)  
10.4  
1.1  
Maximum Forward Voltage at 1.0A DC  
VF  
V
@T  
J
= 25°C  
=125°C  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
10  
500  
μA  
IR  
@T  
J
pF  
°C/W  
°C  
25  
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
C
J
R
θJA  
40  
TJ  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
°C  
Notes:  
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC  
2. Unit mounted on P.C.B with 0.50"×0.50” (13×13mm) copper pads.  
REV: A  
Page 1  
QW-BBR75  
Comchip Technology CO., LTD.  
123

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DF10-G 替代型号

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