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DF1000R17IE4PBPSA1

更新时间： 2024-02-14 06:44:50

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
10页	576K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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DF1000R17IE4PBPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	50 weeks
风险等级：	5.61	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DF1000R17IE4PBPSA1 数据手册

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DF1000R17IE4P

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

2000

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 20V

V_GE= 15V

V_GE= 12V

V_GE= 10V

V_GE= 9V

V_GE= 8V

1800

1600

1400

1200

1000

800

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

600

400

200

0,0

0,5

1,0

1,5

2,0

V_CE[V]

2,5

3,0

3,5

4,0

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ1.2ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

2000

1100

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

1000

1800

1600

1400

1200

1000

800

E_off, T_vj= 125°C

900

800

700

600

500

400

300

200

100

600

400

200

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000

V_GE[V]

I_C[A]

Datasheet

Vꢀ3.0

2018-11-26

1 2 3 456 7 8...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DF100AA120	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
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DF100AA160	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
DF100AB	SANREX	获取价格	Trigger Device
DF100AC	SANREX	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge Module
DF100BA40	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
DF100BA80	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
DF100BB	SANREX	获取价格	Trigger Device