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DF1000R17IE4PBPSA1

更新时间： 2024-02-21 11:31:36

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英飞凌 - INFINEON		栅
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10页	576K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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DF1000R17IE4PBPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	Factory Lead Time：	50 weeks
风险等级：	5.61	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DF1000R17IE4PBPSA1 数据手册

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DF1000R17IE4P

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBrake-Chopperꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ1000ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ900ꢀV

1200

100

E_on, T_vj= 150°C

Z_thJH: IGBT

E_on, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

1100

1000

900

800

700

600

500

400

300

200

100

r_i[K/kW]: 2,98

τ_i[s]:

10,4

15,9 7,77

0,000794 0,0294 0,117 0,795

0,001

0,01

0,1

t [s]

R_G[Ω]

SichererꢀRückw.-Arbeitsber.ꢀIGBT,ꢀBrems-Chopperꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBrake-Chopper

(RBSOA)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀBrems-Chopperꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBrake-Chopperꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ1.8ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

2200

2000

I_C, Modul

I_C, Chip

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

2000

1800

1600

1400

1200

1000

800

1800

1600

1400

1200

1000

800

600

400

200

600

400

200

200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

0,0

0,5

1,0

1,5

V_F[V]

2,0

2,5

3,0

V_CE[V]

Datasheet

Vꢀ3.0

2018-11-26

1...3 4 567 8 9 10

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与DF1000R17IE4PBPSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DF1005S	CITC	获取价格	1A Miniature Glass Passivated Single-Phase Surface Mount Bridge Rectifiers
DF100AA120	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
DF100AA120	NJSEMI	获取价格	THREE PHASE RECTIFYING BRIDGE MODULE
DF100AA160	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
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DF100AC	SANREX	获取价格	Three Phase Rectifier Bridge Module
DF100BA40	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
DF100BA80	SANREX	获取价格	DIODE(THREE PHASES BRIDGE TYPE)
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