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DF08S

更新时间： 2024-02-24 00:27:06

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THINKISEMI		二极管光电二极管
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2页	611K
描述
1.0 Ampere Surface Mount Glass Passivated Bridge Rectifier

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DF08S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	ROHS COMPLIANT, MINIATURE, PLASTIC, DFS, 4 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.56
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DF08S 数据手册

DF005S thru DF10S

1.0 Ampere Surface Mount Glass Passivated Bridge Rectifier

DF005S thru DF10S

Pb Free Plating Product

DB-S/DF-S

Unit : inch (mm)

Features

• Glass passivated chip junction

• Low forward voltage drop

• High surge overload rating of 50 A peak

• Ideal for printed circuit board

.009(0.25)

.335(8.51)

.316(8.05)

Mechanical Data

.045(1.14)

.035(0.89)

• Case: Molded plastic, DB-S/DF-S

• Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

• Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202,

method 208 guaranteed

.205(5.2)

.195(5.0)

• Mounting position: Any

Absolute Maximum Ratings and Characteristics

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or

inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.

DB101S DB102S DB103S DB104S DB105S DB106S DB107S

Unit

Parameter

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Symbols

V_RRM

V_RMS

V_DC

DF005S DF01S DF02S DF04S DF06S DF08S DF10S

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400 600 800 1000

Maximum Average Forward Rectified Current at T_A= 40 C

I_(AV)

Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half-sine-wave

Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

I_FSM

V_F

I_R

Maximum Forward Voltage at 1 A

1.1

Maximum Reverse Current at Rated at T_A= 25 C

DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance ¹⁾

500

µA

at T_A= 125 C

C_J

^OC/W

^OC

Typical Thermal Resistance ²⁾

R_θ_JA

R_θ_JL

Operating and Storage Temperature Range

T_J,T_S

-55 to +150

¹⁾Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V

²⁾Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B with 0.5 X 0.5" (13X 13

mm) copper pads.

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