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DD89N08KKHPSA1

更新时间： 2024-09-17 21:02:35

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
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Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 89A, 800V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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DD89N08KKHPSA1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.82
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：	2400 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	89 A
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

DD89N08KKHPSA1 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD89N

DD89N..K..-K

ND89N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

1200

1600

1400 V

1800 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

1300

1700

1500 V

1900 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

140 A

89 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

2.800 A

2.400 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

39.200 A²s

28.800 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,5 V

0,75 V

2,3 mΩ

20 mA

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,0

2,5

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,225 °C/W

0,450 °C/W

0,215 °C/W

0,430 °C/W

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,05 °C/W

0,10 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

C. Drilling

date of publication: 29.04.03

revision:

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP AC / 91-04-17, K.Spec

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD89N12K	INFINEON	获取价格	Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD89N12KAHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 89A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD89N12KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 89A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD89N12K-K	INFINEON	获取价格	暂无描述
DD89N12KKHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 89A, 1200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD89N14K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 89A, 1400V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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