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DD260N16K

更新时间： 2023-04-15 00:00:00

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英飞凌 - INFINEON		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
10页	237K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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DD260N16K 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-XUFM-X3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.8
其他特性：	UL RECOGNIZED	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X3	最大非重复峰值正向电流：	8300 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	260 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1600 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER

DD260N16K 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD260N

DD260N..K..-A

DD260N..K..-K

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_PerE_iodil_se_chek_St_pr_itzi_es_nsc_peh_rrse_panE_nuni_ggenschaften _{T = -40°C... T}

1200

1600

1400 V

1800 V

V_RRM

vj max

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

1300

1700

1500 V

1900 V

Stoßspitzensperrspannung

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

410 A

260 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

9.500 A

8.300 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

451.000 A²s

344.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,32 V

0,7 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,68 mΩ

30 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,085 °C/W

0,170 °C/W

0,082 °C/W

0,164 °C/W

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,02 °C/W

0,04 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

1) 1800V auf Anfrage/ 1800V on request

C. Drilling

date of publication: 30.04.03

revision:

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP AC / 87-09-25, K.Spec

A20/87

Seite/page

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DD260N16K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DD260N14K	INFINEON	完全替代	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1400V V(RRM), Silicon, MODULE-3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD260N16K-A	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD260N16KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD260N16KKHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD260N18K-A	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD260N18KKHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 1800V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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