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DD285N_04

更新时间： 2024-09-26 10:01:23

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EUPEC		整流二极管
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Rectifier Diode Module

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DD285N_04 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD285N

DD285N..K..-K

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Spitzensperrspannung

400

500

600 V

800 V

Elektrische Eigenschaften

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RRM

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

700 V

900 V

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

450 A

285 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

9.500 A

8.300 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

451.000 A²s

344.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,15 V

0,75 V

0,4 mΩ

20 mA

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,085 °C/W

0,170 °C/W

0,082 °C/W

0,164 °C/W

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,02 °C/W

0,04 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

C. Drilling

date of publication: 30.07.04

revision:

prepared by:

approved by: M. Leifeld

MA2-BE / 87-08-20, K.Spec

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DD285N04KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode,
DD285N04K-K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 285A, 400V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD285N06K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 285A, 600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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