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DD28F032SA-70 PDF预览

DD28F032SA-70

更新时间： 2024-09-28 18:40:31
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
49页 723K
描述
Flash, 4MX8, 70ns, PDSO56, 14 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP-56

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DD28F032SA-70 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP1, TSSOP56,.8,20
针数：56Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.86最长访问时间：70 ns
备用内存宽度：16命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：64端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE页面大小：128/256 words
并行/串行：PARALLEL电源：3.3/5 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.064 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：14 mmBase Number Matches：1

DD28F032SA-70 数据手册

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E
DD28F032SA  
32-MBIT (2 MBIT X 16, 4 MBIT X 8)  
FlashFile™ MEMORY  
User-Selectable 3.3V or 5V VCC  
Revolutionary Architecture  
100% Backwards-Compatible with  
Intel 28F016SA  
User-Configurable x8 or x16 Operation  
70 ns Maximum Access Time  
Pipelined Command Execution  
Program during Erase  
28.6 MB/sec Burst Write Transfer Rate  
1 Million Typical Erase Cycles per Block  
2 mA Typical ICC in Static Mode  
2 µA Typical Deep Power-Down  
56-Lead, 1.2 x 14 x 20 mm Advanced  
Dual Die TSOP Package Technology  
State-of-the-Art 0.6 µm ETOX™ IV Flash  
Technology  
64 Independently Lockable Blocks  
Intel’s DD28F032SA 32-Mbit FlashFile™ memory is a revolutionary architecture which enables the design of  
truly mobile, high performance, personal computing and communication products. With innovative  
capabilities, low power operation and very high read/program performance, the DD28F032SA is also the ideal  
choice for designing embedded mass storage flash memory systems.  
The DD28F032SA is the result of highly-advanced packaging innovation which encapsulates two 28F016SA  
die in a single Dual Die Thin Small Outline Package (DDTSOP).  
The DD28F032SA is the highest density, highest performance nonvolatile read/program solution for solid-  
state storage applications. Its symmetrically-blocked architecture (100% compatible with the 28F016SA  
16-Mbit FlashFile memory), very high-cycling, low-power 3.3V operation, very fast program and read  
performance and selective block locking provide a highly flexible memory component suitable for high-density  
memory cards, Resident Flash Arrays and PCMCIA-ATA Flash Drives. The DD28F032SA’s dual read voltage  
enables the design of memory cards which can be read/written in 3.3V and 5.0V systems interchangeably. Its  
x8/x16 architecture allows the optimization of memory to processor interface. The flexible block locking option  
enables bundling of executable application software in a Resident Flash Array or memory card. The  
DD28F032SA will be manufactured on Intel’s 0.6 µm ETOX IV technology.  
December 1996  
Order Number: 290490-005  
1234567...49

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