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DD261N

更新时间： 2024-02-18 03:09:08

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EUPEC		整流二极管
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10页	266K
描述
Rectifier Diode Module

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DD261N 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
最大非重复峰值正向电流：	8300 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	7
最大输出电流：	260 A	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	2000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

DD261N 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Dioden-Modul

Rectifier Diode Module

DD261N

DD260N..K..-A

DD260N..K..-K

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kenndaten

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

2000

2400

2200 V

2600 V

Elektrische Eigenschaften

Periodische Spitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RRM

repetitive peak reverse voltages

Thermische Eigenschaften

2100

2500

2300 V

2700 V

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM

non-repetitive peak reverse voltage

410 A

260 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_FRMSM

I_FAVM

I_FSM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 100°C

9.500 A

8.300 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

451.000 A²s

344.000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,42 V

0,7 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_F= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_F

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

0,68 mΩ

40 mA

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Sperrstrom

reverse current

T_vj= T_{vj max}, v_R= V_RRM

i_R

Isolations-Prüfspannung

RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min

V_ISOL

3,6

3,0

insulation test voltage

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro Modul / per Module, Θ = 180° sin R_thJC

pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin

pro Modul / per Module, DC

max.

0,085 °C/W

0,170 °C/W

0,082 °C/W

0,164 °C/W

pro Zweig / per arm, DC

pro Modul / per Module

pro Zweig / per arm

max.

0,02 °C/W

0,04 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand

R_thCH

T_{vj max}

T_{c op}

T_stg

thermal resistance, case to heatsink

150

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur

maximum junction temperature

°C

Betriebstemperatur

operating temperature

- 40...+150 °C

Lagertemperatur

storage temperature

C. Drilling

date of publication: 14.08.03

revision:

prepared by:

approved by: M.Leifeld

BIP AC / 87-08-21, K.Spec

A20/87

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DD261N20K	INFINEON	获取价格	Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD261N20K-A	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD261N20KHPSA1	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD261N20K-K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD261N22K	INFINEON	获取价格	Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module
DD261N22K-A	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
DD261N22K-K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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DD261N24K-K	INFINEON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 260A, 2400V V(RRM), Silicon, MODULE-3
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