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DD250GB

更新时间： 2024-09-27 22:40:31

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描述
DIOEDE MODULE (F.R.D)

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DD250GB 数据手册

（F.R.D.）

DIODE MODULE

DD250GB

UL;E76102（M）

Power Diode Module DD250GB series are designed for various rectifier circuits.

DD250GB has two diode chips connected in series in a package and the mounting base is

electrically isolated from elements for simple heatsink construction. Wide voltage rating

up to 800V is available for various input voltage.

92±0.5

26 26

4-φ6（M5）�

●

Isolated mounting base

^●Two elements in a package for simple（single and three phase）bridge

connections

^●Highly reliable glass passivated chips

^●High surge current capability

R8.0

M8×14

（Applications）

Various rectifiers, Bettery chargers, DC motor drives

80±0.3

１�

２�

３�

Unit：㎜

■Maximum Ratings

（Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings

Symbol

Unit

DD250GB40

DD250GB80

VRRM

VRSM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Non-Repetitive Peak Reverse Voltage

400

480

800

960

Symbol

IF（AV）

Symbol

Conditions

Ratings

250

Unit

Average Forward Current

R.M.S. Forward Current

Surge Forward Current

Single phase, half wave, 180℃conduction, Tc：98℃

IF（RMS）

390

Single phase, half wave, 180℃conduction, Tc：98℃

IFSM

／ cycle, 50/60H , peak value, non-repetitive

5000/5500

125000

I t

Value for one cycle of surge current

A S

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

－40 to ＋150

－40 to ＋125

2500

℃

Tstg

VISO

A.C. 1 minute

Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）

Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）

Terminal（M8） Recommended Value 8.8-10 （90-105）

Typical Value

2.7（28）

11（115）

510

Mounting

Torque

N･m

（㎏f･B）

Mass

■Electrical Characteristics

Ratings

Symbol

Conditions

Unit

Min. Typ. Max.

IRRM

VFM

Repetitive Peak Reverse Current

Forward Voltage Drop

Thermal Impedance

RRM

T ＝150℃ at V

1.45

0.14

T ＝25℃, I =750A, Inst. measurement

Junction to case

Rth（j-c）

℃/W

SanRex

50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com

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