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DB3X603K PDF预览

DB3X603K

更新时间： 2024-10-01 21:12:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 366K
描述
Mixer Diode, Ultra High Frequency, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B, 3 PIN

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DB3X603K 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.60
风险等级：5.74配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.65 V频带：ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DB3X603K 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DB3X603K  
Silicon epitaxial planar type  
For high speed switching circuits  
Features  
ꢀPackage  
High reverse voltage VR  
ꢀCode  
Small reverse current IR  
Mini3-G3-B  
ꢀPin Name  
1:Anode  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
2: N.C.  
Packaging  
3: Cathode  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
ꢀMarking Symbol: 5L  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
ꢀInternal Connection  
Parameter  
Symbol  
VR  
Rating  
Unit  
V
3
Reverse voltage  
60  
Maximum peak reverse voltage  
Forward current (Average)  
VRM  
IF(AV)  
IFSM  
Tj  
60  
V
500  
mA  
A
Non-repetitive peak forward surge current *  
Junction temperature  
2
1
2
125  
°C  
°C  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +125  
Note) : 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)  
*
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
0.65  
100  
Unit  
V
Forward voltage  
Reverse current  
VF  
IR  
IF = 500 mA  
VR = 50 V  
mA  
pF  
Terminal capacitance  
Ct  
VR = 10 V, f = 1 MHz  
14  
IF = IR = 100 mA, Irr = 0.1 × IR ,  
RL = 100 Ω  
Reverse recovery time *  
trr  
4.5  
ns  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.  
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage  
of current from the operating equipment.  
3. Absolute frequency of input and output is 1 GHz  
: trr measurement circuit  
*
Input Pulse  
Output Pulse  
trr  
Bias Application Unit (N-50BU)  
tp  
tr  
t
10%  
IF  
t
A
90%  
VR  
I
rr = 0.1 × IR  
tp = 2 µs  
tr = 0.35 ns  
δ = 0.05  
IF = 100 mA  
IR = 100 mA  
RL = 100 Ω  
Pulse Generator  
(PG-10N)  
Rs = 50 Ω  
Wave Form Analyzer  
(SAS-8130)  
Ri = 50 Ω  
Publication date: November 2010  
Ver. AED  
1
1234

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